DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Tensión VCBO colector-base
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Serie
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1,592En existencias
2,000Se espera el 8/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
3,880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Hoja de datos
1,592En existencias
2,000Se espera el 20/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape