UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1,142En existencias
S/82.37
S/50.25
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3,278En existencias
S/77.07
S/46.13
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3 472En existencias
S/45.62
S/26.90
S/24.83
S/23.16
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3 902En existencias
S/99.88
S/64.23
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3 1,166En existencias
S/75.94
S/45.27
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3 639En existencias
S/47.92
S/27.44
S/25.42
S/24.37
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 357En existencias
Cinta cortada
S/48.93
S/28.53
S/26.27
S/24.87
Envase tipo carrete
S/24.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583En existencias
S/49.47
S/28.18
S/26.12
S/25.15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24 227En existencias
S/114.36
S/85.36
S/76.49
S/76.25
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 630En existencias
S/114.87
S/76.25
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199En existencias
Cinta cortada
S/51.38
S/30.48
S/28.42
S/26.90
Envase tipo carrete
S/26.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 676En existencias
800Se espera el 23/11/2026
Cinta cortada
S/36.01
S/19.73
S/18.14
S/17.13
Envase tipo carrete
S/17.13
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 28En existencias
1,600En pedido
Cinta cortada
S/45.31
S/32.04
S/23.78
S/22.50
Envase tipo carrete
S/22.50
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 615En existencias
Cinta cortada
S/74.85
S/46.94
S/44.45
Envase tipo carrete
S/44.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 637En existencias
S/82.44
S/50.29
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3 500En existencias
600Se espera el 16/11/2026
S/46.09
S/26.00
S/24.02
S/22.81
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3 92En existencias
S/105.14
S/64.62
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63En existencias
S/54.34
S/30.36
S/29.39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1,200Se espera el 19/02/2027
S/105.41
S/84.39
S/72.98
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1,000Se espera el 21/12/2026
S/76.10
S/45.39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300Se espera el 8/03/2027
S/43.01
S/23.43
S/21.64
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Cinta cortada
S/98.36
S/66.52
Envase tipo carrete
S/66.52
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET