MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
UF3C065040K4S
onsemi
1:
S/75.48
3,300 En existencias
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431-UF3C065040K4S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
3,300 En existencias
1
S/75.48
10
S/48.11
120
S/45.54
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TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
UF3C065030T3S
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902 En existencias
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431-UF3C065030T3S
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MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
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TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
5 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3
UF3C065040K3S
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431-UF3C065040K3S
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MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-3
1,224 En existencias
1
S/75.94
10
S/47.37
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Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
42 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
UF3C120040K4S
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S/114.87
666 En existencias
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431-UF3C120040K4S
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MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
666 En existencias
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Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
45 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
UF3C120040K3S
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1:
S/100.12
229 En existencias
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431-UF3C120040K3S
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MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
229 En existencias
1
S/100.12
10
S/77.93
100
S/75.20
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Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
65 A
45 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
UF3C065030K4S
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S/101.32
308 En existencias
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431-UF3C065030K4S
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MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
308 En existencias
1
S/101.32
10
S/64.81
120
S/64.54
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Mult.: 1
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Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C065080K4S
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S/47.76
581 En existencias
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431-UF3C065080K4S
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MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
581 En existencias
1
S/47.76
10
S/28.92
120
S/24.83
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Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
UF3C120080B7S
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1:
S/74.85
713 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080B7S
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MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
713 En existencias
1
S/74.85
10
S/53.29
100
S/46.94
500
S/43.87
800
S/43.87
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Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
28.8 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
UF3C120400K3S
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1:
S/42.58
268 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
268 En existencias
1
S/42.58
10
S/25.53
120
S/21.64
510
S/21.37
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Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
UF3C065030B3
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1:
S/98.36
453 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030B3
NRND
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
453 En existencias
1
S/98.36
10
S/71.15
100
S/66.56
500
S/62.16
800
S/62.16
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Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
UF3C065080B3
onsemi
1:
S/44.65
1,252 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B3
NRND
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
1,252 En existencias
1
S/44.65
10
S/30.87
100
S/24.02
500
S/23.12
800
S/22.42
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7
UF3C065080B7S
onsemi
1:
S/50.76
200 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080B7S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7
200 En existencias
1
S/50.76
10
S/35.34
100
S/28.42
500
S/26.55
800
S/26.55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
27 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
136.4 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
UF3C120080K3S
onsemi
1:
S/81.31
1,117 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
1,117 En existencias
1
S/81.31
10
S/51.73
120
S/49.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
254.2 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
UF3C120400B7S
onsemi
1:
S/36.01
1,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400B7S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
1,235 En existencias
1
S/36.01
10
S/24.60
100
S/18.14
500
S/16.89
800
S/16.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
5.9 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
22.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
UF3C170400B7S
onsemi
1:
S/44.30
26 En existencias
1,600 En pedido
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400B7S
onsemi
MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
26 En existencias
1,600 En pedido
Ver fechas
Existencias:
26 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
800 Se espera el 9/10/2026
800 Se espera el 20/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
1
S/44.30
10
S/30.60
100
S/23.78
500
S/22.19
800
S/22.19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23.1 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
UF3C065030K3S
onsemi
1:
S/97.66
120 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
120 En existencias
1
S/97.66
10
S/64.15
120
S/63.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3
UF3C065080K3S
onsemi
1:
S/46.52
664 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3
664 En existencias
1
S/46.52
10
S/28.14
120
S/24.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 12 V, + 12 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3
UF3C065080T3S
onsemi
1:
S/44.61
507 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065080T3S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3
507 En existencias
1
S/44.61
10
S/25.38
100
S/23.39
500
S/22.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
UF3C120150B7S
onsemi
1:
S/47.80
377 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150B7S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
377 En existencias
1
S/47.80
10
S/33.16
100
S/26.27
500
S/24.52
800
S/24.52
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
17 A
150 mOhms
- 25 V, + 25 V
4.4 V
25.7 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
UF3C170400K3S
onsemi
1:
S/44.80
716 En existencias
600 Se espera el 12/08/2026
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
716 En existencias
600 Se espera el 12/08/2026
1
S/44.80
10
S/26.70
120
S/22.65
510
S/22.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3
UF3C065040B3
onsemi
1:
S/63.99
191 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040B3
NRND
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3
191 En existencias
1
S/63.99
10
S/45.15
100
S/38.38
800
S/35.85
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
41 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C120080K4S
onsemi
1:
S/86.88
16 En existencias
600 Se espera el 16/10/2026
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120080K4S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
16 En existencias
600 Se espera el 16/10/2026
1
S/86.88
10
S/64.89
120
S/56.13
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
254.2 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
UF3C120150K4S
onsemi
1:
S/53.02
64 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150K4S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
64 En existencias
1
S/53.02
10
S/32.89
120
S/29.00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
18.4 A
330 mOhms
- 25 V, + 25 V
3.5 V
25.7 nC
- 55 C
+ 175 C
166.7 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
UF3C065040T3S
onsemi
1:
S/75.44
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040T3S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
1
S/75.44
10
S/44.88
100
S/44.76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET