Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP016N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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IPP016N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-P016N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/5.33

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
1,224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/10.20

S/4.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Infineon Technologies
1: S/13.74
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IPP011N04NF2SAKMA1

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726-IPP011N04NF2SAKM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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S/13.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Infineon Technologies
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IPP015N04NF2SAKMA1

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726-IPP015N04NF2SAKM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Infineon Technologies
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4,886En existencias
4,000Se espera el 26/03/2026

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IPP019N06NF2SAKMA1

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726-P019N06NF2SAKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Infineon Technologies
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1,848En existencias

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IPP030N06NF2SAKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Infineon Technologies
1: S/10.55
1,326En existencias

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726-IPP019N08NF2SAKM

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1,000Se espera el 2/03/2026

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S/11.79

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S/4.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Infineon Technologies
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IPP014N06NF2SAKMA2

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726-P014N06NF2SAKMA2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

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726-IPP026N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/10.32

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA030N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
52En existencias
2,000Se espera el 5/03/2026

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IPA030N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA030N10NF2SXKS

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S/16.39

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S/8.06

S/6.54

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA082N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA082N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA082N10NF2SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/8.64

S/4.20

S/3.85

S/3.10

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35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/13.04

S/6.93

S/6.34

S/6.07

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TO-220-3

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80 V

182 A

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/11.76
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/11.76

S/5.88

S/5.29

S/3.93

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N-Channel

1 Channel

80 V

115 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.79
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/7.79

S/4.20

S/3.79

S/3.03

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N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

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100 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
1,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1,031En existencias

S/7.28

S/7.24

S/3.50

S/3.13

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N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

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3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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978En existencias

S/9.73

S/4.79

S/4.32

S/3.45

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N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/18.06
2,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,000Se espera el 2/07/2026

S/18.06

S/11.95

S/9.34

S/8.29

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1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

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