Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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IPP050N10NF2SAKMA1
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IPP030N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
961En existencias
1,000Se espera el 19/11/2026

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IPP030N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP030N06NF2SAKM

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S/8.76

S/4.24

S/3.79

S/3.01

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Infineon Technologies
1: S/8.84
911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

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S/8.84

S/4.28

S/3.83

S/3.05

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPA082N10NF2SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.48
544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA082N10NF2SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA082N10NF2SXKS

Infineon Technologies

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S/11.48

S/6.73

S/5.10

S/3.93

S/3.62

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP019N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/16.23
568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/16.23

S/8.25

S/7.32

S/6.15

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TO-220-3

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/13.97
379En existencias
1,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/13.97

S/7.05

S/6.58

S/5.49

S/4.79

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N-Channel

1 Channel

80 V

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2.4 mOhms

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3.8 V

89 nC

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+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
96En existencias
2,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM

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2,000Se espera el 19/11/2026

S/7.12

S/3.40

S/3.04

S/2.39

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
2,000Se espera el 1/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/17.28

S/8.84

S/8.02

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80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

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