Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

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Resultados: 19

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.67 1,990En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP016N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,990En existencias	S/ 17.67 S/ 9.38 S/ 8.14 S/ 6.93 S/ 6.42	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	196 A	1.6 mOhms	20 V	3.8 V	170 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP016N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.59 1,665En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP016N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P016N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,665En existencias	S/ 10.59 S/ 5.64 S/ 5.10 S/ 4.09 Ver S/ 3.86 S/ 3.84 S/ 3.65	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	194 A	1.6 mOhms	20 V	2.1 V	155 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP019N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.47 8,552En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-P019N06NF2SAKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	8,552En existencias	S/ 10.47 S/ 5.14 S/ 4.63 S/ 3.69 Ver S/ 3.40 S/ 3.24	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	185 A	1.9 mOhms	20 V	2.1 V	108 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP050N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.69 1,331En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP050N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP050N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,331En existencias	S/ 12.69 S/ 6.34 S/ 5.72 S/ 4.63 S/ 4.48	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	110 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 16.97 1,387En existencias 1,500Se espera el 30/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA030N10NF2SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA030N10NF2SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,387En existencias 1,500Se espera el 30/11/2026	S/ 16.97 S/ 8.68 S/ 7.86 S/ 7.12 Ver S/ 6.62 S/ 6.27 S/ 6.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	100 V	83 A	3 mOhms	20 V	3 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.24 2,451En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP011N04NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP011N04NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2,451En existencias	S/ 17.24 S/ 8.17 S/ 6.89 S/ 6.38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	201 A	1.15 mOhms	20 V	3.4 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.12 1,831En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP082N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP082N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,831En existencias	S/ 10.12 S/ 4.94 S/ 4.28 S/ 3.56 Ver S/ 3.47 S/ 3.22 S/ 3.09	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	100 V	77 A	8.2 mOhms	20 V	3.8 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPP013N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 15.06 3,900En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP013N04NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP013N04NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3,900En existencias	S/ 15.06 S/ 7.63 S/ 6.50 S/ 5.76 S/ 5.25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	197 A	1.3 mOhms	20 V	3.4 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.23 2,677En existencias 9,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP015N04NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP015N04NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	2,677En existencias 9,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP015N04NF2SAKMA1 Existencias: 2,677 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 11/02/2027 6,000 Se espera el 25/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 31 Semanas	S/ 13.23 S/ 6.62 S/ 5.99 S/ 4.87 Ver S/ 4.71 S/ 4.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	193 A	1.5 mOhms	20 V	3.4 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP026N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.63 1,174En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP026N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP026N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,174En existencias	S/ 17.63 S/ 9.65 S/ 8.76 S/ 7.24 Ver S/ 7.20 S/ 7.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	184 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	103 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.25 6,322En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP040N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP040N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	6,322En existencias	S/ 11.25 S/ 5.57 S/ 5.02 S/ 4.05 Ver S/ 3.78 S/ 3.65 S/ 3.58	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	115 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP129N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.84 896En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP129N10NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP129N10NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	896En existencias	S/ 8.84 S/ 4.28 S/ 3.83 S/ 3.05 Ver S/ 2.85 S/ 2.78 S/ 2.72 S/ 2.62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	100 V	52 A	12.9 mOhms	20 V	3.8 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies 1: S/ 11.79 923En existencias 1,000Se espera el 11/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IPP014N06NF2SAKMA2 N.º de artículo de Mouser 726-P014N06NF2SAKMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	923En existencias 1,000Se espera el 11/02/2027	S/ 11.79 S/ 6.34 S/ 5.72 S/ 4.63 Ver S/ 4.52 S/ 4.28 S/ 4.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.4 mOhms	20 V	2.1 V	203 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.33 544En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA082N10NF2SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA082N10NF2SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	544En existencias	S/ 11.33 S/ 5.61 S/ 5.06 S/ 4.16 S/ 3.62	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	100 V	46 A	8.2 mOhms	20 V	3.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	35 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 16.23 845En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP019N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP019N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	845En existencias	S/ 16.23 S/ 8.25 S/ 7.32 S/ 6.15 Ver S/ 6.11 S/ 5.92 S/ 5.88	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	191 A	1.9 mOhms	20 V	3.8 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.76 767En existencias 1,000Se espera el 11/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IPP030N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP030N06NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	767En existencias 1,000Se espera el 11/02/2027	S/ 8.76 S/ 4.24 S/ 3.79 S/ 3.15 Ver S/ 2.61 S/ 2.57 S/ 2.53	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	119 A	3.05 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.55 3En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP040N06NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP040N06NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	3En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	S/ 7.55 S/ 3.60 S/ 3.16 S/ 2.51 Ver S/ 2.29 S/ 2.09 S/ 2.02 S/ 1.91	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	4 mOhms	20 V	3.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.95 1,882En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP055N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP055N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,882En existencias	S/ 8.95 S/ 4.36 S/ 3.88 S/ 3.09 Ver S/ 2.90 S/ 2.83 S/ 2.72 S/ 2.65 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	5.5 mOhms	20 V	3.8 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPP024N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.97 1,990En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP024N08NF2SAKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP024N08NF2SAKM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon strongirfet 2 mosfets	Hoja de datos	1,990En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP024N08NF2SAKMA1 Existencias: 0 En pedido: 990 Se espera el 24/12/2026 1,000 Se espera el 1/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 8 Semanas	S/ 13.97 S/ 7.05 S/ 6.58 S/ 5.18 S/ 4.79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	182 A	2.4 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	Tube

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