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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
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STP10N60M2

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511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/3.80

S/3.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.46
792En existencias

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STP24N60M6

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511-STP24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/12.46

S/6.23

S/5.64

S/4.55

S/4.48

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP50N65DM6
STMicroelectronics
1: S/30.56
773En existencias

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STP50N65DM6

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511-STP50N65DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/30.56

S/21.56

S/17.98

S/16.04

S/14.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW20N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.04
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STW20N90K5

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511-STW20N90K5

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S/29.04

S/17.09

S/14.32

S/14.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD6N65M2
STMicroelectronics
1: S/5.80
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STD6N65M2

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511-STD6N65M2

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S/2.44

S/1.92

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S/1.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

STD7N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.08
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STD7N80K5

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511-STD7N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

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S/10.08

S/6.54

S/4.55

S/3.67

S/3.37

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S/3.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.12
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STD8N60DM2

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511-STD8N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/7.12

S/4.55

S/3.02

S/2.41

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.97

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STF10NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.56
768En existencias

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STF10NM60N

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511-STF10NM60N

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S/14.56

S/8.29

S/7.16

S/6.50

S/6.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/13.31
899En existencias

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STH6N95K5-2

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511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

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S/13.31

S/8.72

S/6.07

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.80
601En existencias

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STP22NM60N

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511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

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S/18.80

S/10.04

S/8.91

S/7.67

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STP24NM60N
STMicroelectronics
1: S/16.23
636En existencias

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STP24NM60N

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511-STP24NM60N

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S/16.23

S/8.52

S/7.40

S/6.73

S/6.27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N65M2
STMicroelectronics
1: S/14.17
503En existencias

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STP28N65M2

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/14.17

S/7.47

S/6.58

S/5.61

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: S/19.58
673En existencias

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STP33N60M6

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511-STP33N60M6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/19.58

S/13.00

S/9.26

S/8.21

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP5N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.95
1,143En existencias

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STP5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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S/8.95

S/4.24

S/3.44

S/2.99

S/2.76

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW40N95DK5
STMicroelectronics
1: S/59.48
697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N95DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N95DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag

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697En existencias

S/59.48

S/36.51

S/35.58

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW88N65M5-4
STMicroelectronics
1: S/66.60
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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166En existencias

S/66.60

S/41.30

S/41.18

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

STWA75N60M6
STMicroelectronics
1: S/40.44
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead

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492En existencias

S/40.44

S/24.41

S/21.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

STY105NM50N
STMicroelectronics
1: S/97.70
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY105NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STY105NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET

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186En existencias

S/97.70

S/67.15

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.46
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

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1,075En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.70
836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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836En existencias

Cinta cortada

S/19.70

S/13.08

S/10.39

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: S/8.68
1,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

1,632En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.57

S/3.82

S/3.05

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/6.85
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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2,222En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.34

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.27
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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981En existencias

S/13.27

S/6.70

S/6.03

S/4.90

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

STI20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.99
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STI20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5

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958En existencias

S/14.99

S/8.14

S/6.50

S/5.72

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.16
2,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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2,800En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/6.50

S/4.44

S/3.60

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

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