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X2-Class IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 71

Filtros aplicados:

Fabricante = IXYS

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

IXFP34N65X2W
IXYS
1: S/28.96
300En existencias
300Se espera el 23/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP34N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220

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Hoja de datos

300En existencias

300Se espera el 23/02/2026

S/28.96

S/20.44

S/17.01

S/13.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

30 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

IXTH24N65X2
IXYS
1: S/30.21
586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH24N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH24N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

586En existencias

S/30.21

S/17.44

S/14.67

S/14.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/59.75
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

239En existencias

S/59.75

S/36.39

S/32.62

S/31.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

137 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTK120N65X2
IXYS
1: S/86.18
410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

410En existencias

S/86.18

S/63.33

S/60.80

S/58.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS

IXTH62N65X2
IXYS
1: S/32.42
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH62N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH62N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

206En existencias

S/32.42

S/26.62

S/25.42

S/24.33

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

IXFH60N65X2
IXYS
1: S/50.14
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH60N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH60N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

889En existencias

S/50.14

S/29.82

S/26.08

S/25.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/33.20
705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

705En existencias

S/33.20

S/20.05

S/18.22

S/16.50

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTK102N65X2
IXYS
1: S/67.77
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

251En existencias

S/67.77

S/45.39

S/45.35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

IXFH46N65X2
IXYS
1: S/43.99
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

403En existencias

S/43.99

S/25.22

S/22.38

S/20.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

76 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTX120N65X2
IXYS
1: S/80.77
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

213En existencias

S/80.77

S/65.94

S/62.51

S/57.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

IXFH34N65X2W
IXYS
1: S/33.71
584En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

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Hoja de datos

584En existencias

S/33.71

S/24.52

S/20.40

S/18.18

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

30 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

IXFH46N65X2W
IXYS
1: S/39.86
551En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2W

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2W

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

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Hoja de datos

551En existencias

S/39.86

S/31.18

S/25.96

S/23.12

S/20.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

69 mOhms

30 V

5.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS

IXTH34N65X2
IXYS
1: S/30.24
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

214En existencias

S/30.24

S/17.79

S/16.19

S/14.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2

IXFB150N65X2
IXYS
1: S/104.28
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB150N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB150N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

51En existencias

S/104.28

S/88.24

S/85.48

S/84.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

150 A

17 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

430 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L

IXFH80N65X2-4
IXYS
1: S/66.48
509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N65X2-4

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N65X2-4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

509En existencias

S/66.48

S/39.28

S/35.93

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 48A N-CH X2CLASS

IXTH48N65X2
IXYS
1: S/41.49
356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH48N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 48A N-CH X2CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

356En existencias

S/41.49

S/23.00

S/21.60

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak

MXB12R600DPHFC
IXYS
1: S/48.77
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MXB12R600DPHFC

N.º de artículo de Mouser
576-MXB12R600DPHFC

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak

Obtenga más información

Hoja de datos

240En existencias

S/48.77

S/39.70

S/33.05

S/26.70

S/24.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

ISOPLUS-i4-PAC-5

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

160 mOhms

- 40 V, 40 V

5 V

37 nC

- 40 C

+ 125 C

Enhancement

ISOPLUS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2

IXFH80N65X2
IXYS
1: S/59.09
851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

851En existencias

S/59.09

S/36.36

S/32.74

S/32.19

S/32.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFK100N65X2
IXYS
1: S/78.94
534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK100N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK100N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

534En existencias

S/78.94

S/64.97

S/56.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFX100N65X2
IXYS
1: S/73.49
120En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX100N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX100N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

120En existencias

S/73.49

S/47.22

S/44.37

S/42.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-268HV

IXFT80N65X2HV
IXYS
1: S/65.36
331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT80N65X2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT80N65X2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-268HV

Obtenga más información

Hoja de datos

331En existencias

S/65.36

S/40.68

S/35.50

S/35.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTA8N65X2
IXYS
1: S/15.61
232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

232En existencias

S/15.61

S/7.94

S/6.38

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

IXFX120N65X2
IXYS
1: S/95.17
154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

Obtenga más información

Hoja de datos

154En existencias

S/95.17

S/62.94

S/59.71

S/59.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

24 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTA4N65X2
IXYS
1: S/14.79
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IXTA4N65X2

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747-IXTA4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

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S/8.80

S/7.51

S/5.37

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTY8N65X2
IXYS
1: S/15.03
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IXTY8N65X2

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747-IXTY8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

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S/14.09

S/6.38

S/5.72

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

X2-Class IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 A
4 A
8 A
12 A
18 A
20 A
22 A
24 A
26 A
34 A
46 A
48 A
54 A
60 A
62 A
80 A
100 A
102 A
120 A
150 A

17 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
30 mOhms
33 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
65 mOhms
69 mOhms
76 mOhms
96 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
130 mOhms
145 mOhms
160 mOhms
185 mOhms
200 mOhms

4.3 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17.7 nC
18.5 nC
27 nC
29 nC
36 nC
37 nC
38 nC
45 nC
54 nC
56 nC
64 nC
75 nC
76 nC
90 nC
100 nC

1.25 mW
30 W
40 W
43 W
55 W
70 W
80 W
150 W
180 W
290 W
330 W
360 W
390 W
460 W
540 W
660 W
780 W
890 W
1.04 kW
1.25 kW