Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL
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10
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200
S/69.60
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
BLP15M9S30GZ
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S/95.05
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S/61.31
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
BLP15M9S30XY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
BLP15M9S70GZ
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94-BLP15M9S70GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
BLP15M9S70Z
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94-BLP15M9S70Z
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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1
S/100.58
10
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S/63.91
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL
BLP5LA55SGZ
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S/63.53
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
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1
S/98.48
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S/62.40
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
BLP981Z
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S/174.11
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BLP981Z
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Nuevo producto
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
BLP9H10-30GZ
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S/110.51
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N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10-30GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
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1
S/110.51
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S/86.72
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Ver
500
S/71.00
100
S/76.88
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S/75.71
500
S/71.00
1,000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/TRAYD
BLP9H10S-850AVTZ
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S/294.35
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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94-BLP9H10S-850AVTZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/TRAYD
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
BLP9LA25SGZ
Ampleon
1:
S/71.93
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SGZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
1
S/71.93
10
S/56.91
25
S/53.05
50
S/53.02
500
S/45.62
1,000
Ver
100
S/49.40
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S/47.68
1,000
S/44.92
2,500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/TO270/REEL
BLP9LA25SXY
Ampleon
100:
S/49.55
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SXY
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/TO270/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
BLP9LA25SZ
Ampleon
1:
S/70.65
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9LA25SZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
1
S/70.65
10
S/54.92
25
S/50.68
100
S/46.90
500
S/41.30
1,000
Ver
250
S/46.05
1,000
S/41.10
2,500
Presupuesto
Comprar
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Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
BLS9G2729L-350U
Ampleon
60:
S/701.97
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2729L-350U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
BLS9G2729LS-350U
Ampleon
60:
S/539.23
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2729LS-350U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
BLS9G2731L-400U
Ampleon
1:
S/1,045.76
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2731L-400U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G2731LS-400U
Ampleon
60:
S/1,025.25
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2731LS-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
BLS9G2934L-400U
Ampleon
60:
S/656.39
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2934L-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
BLS9G2934LS-400U
Ampleon
60:
S/603.88
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2934LS-400U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
BLS9G3135L-115U
Ampleon
1:
S/453.87
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135L-115U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
BLS9G3135LS-115U
Ampleon
60:
S/324.71
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G3135LS-115U
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 60
Mult.: 60
Detalles