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Ampleon Semiconductores

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B10G2022N10DLX
Ampleon
3,000: S/62.98
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B10G2022N10DLX

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94-B10G2022N10DLX

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL

B10G2022N10DLZ
Ampleon
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B10G2022N10DLZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2324N10DLX
Ampleon
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B10G2324N10DLX

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94-B10G2324N10DLX

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S/64.03

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2324N10DLZ
Ampleon
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B10G2324N10DLZ

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94-B10G2324N10DLZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP

B10G2327N55DZ
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B10G2327N55DZ

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94-B10G2327N55DZ

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S/72.91

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP

B10G2527N10DLZ
Ampleon
1,000: S/66.02
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B10G2527N10DLZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

B10G3336N16DLX
Ampleon
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B10G3336N16DLX

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94-B10G3336N16DLX

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S/67.89

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

B10G3336N16DLZ
Ampleon
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B10G3336N16DLZ

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94-B10G3336N16DLZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL

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S/70.07

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP

B10G4750N12DLZ
Ampleon
1,000: S/59.17
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B10G4750N12DLZ

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94-B10G4750N12DLZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP

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S/59.17

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Mult.: 1,000

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0608N40DX
Ampleon
3,000: S/198.98
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B10H0608N40DX

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94-B10H0608N40DX

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

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S/198.98

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Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0608N40DYZ
Ampleon
500: S/209.84
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B10H0608N40DYZ

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94-B10H0608N40DYZ

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL

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S/209.84

Presupuesto

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Mult.: 500

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

B10H0710N40DX
Ampleon
3,000: S/193.50
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B10H0710N40DX

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94-B10H0710N40DX

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL

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S/193.50

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Mult.: 3,000

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

B11G1822N60DX
Ampleon
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B11G1822N60DX

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94-B11G1822N60DX

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

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S/172.09

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

B11G1822N60DYZ
Ampleon
300: S/178.43
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B11G1822N60DYZ

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94-B11G1822N60DYZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP

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S/178.43

Ver

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Mult.: 300

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

B11G2327N71DX
Ampleon
1,500: S/177.34
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G2327N71DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G2327N71DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP

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S/177.34

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

B11G3338N81DX
Ampleon
1,500: S/186.65
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G3338N81DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3338N81DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/186.65

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

B11G3338N81DYZ
Ampleon
300: S/183.49
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G3338N81DYZ

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3338N81DYZ

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/183.49

Ver

Min.: 300
Mult.: 300

Carrete: 300

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP

B11G3742N81DX
Ampleon
1,500: S/185.24
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
B11G3742N81DX

N.º de artículo de Mouser
94-B11G3742N81DX

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

Envase tipo carrete

S/185.24

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY

BLA9G1011L-300GU
Ampleon
60: S/865.07
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9G1011L-300GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011L-300GU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/865.07

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY

BLA9G1011L-300U
Ampleon
60: S/925.71
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9G1011L-300U

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011L-300U

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/925.71

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY

BLA9G1011LS-300GU
Ampleon
60: S/896.48
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9G1011LS-300GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011LS-300GU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/896.48

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY

BLA9G1011LS-300U
Ampleon
60: S/884.22
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9G1011LS-300U

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9G1011LS-300U

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/884.22

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY

BLA9H0912L-250GU
Ampleon
60: S/849.62
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912L-250GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-250GU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/849.62

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY

BLA9H0912L-250U
Ampleon
60: S/870.60
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912L-250U

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-250U

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/870.60

Ver

Min.: 60
Mult.: 60

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY

BLA9H0912L-700GU
Ampleon
60: S/1,269.54
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BLA9H0912L-700GU

N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912L-700GU

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/1,269.54

Min.: 60
Mult.: 60

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