STWA50N65DM2AG

STMicroelectronics
511-STWA50N65DM2AG
STWA50N65DM2AG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Complete su diseño

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 600   Múltiples: 600
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/17.44 S/10,464.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
87 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
69 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STWA50N65DM2AG
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 6 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.