STF33N60DM6

STMicroelectronics
511-STF33N60DM6
STF33N60DM6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/7.55 S/7,550.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
128 mOhms
- 20 V, 20 V
3.25 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 35 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STF33N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 7 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 14 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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