MDmesh Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
Hoja de datos
2,950En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 1.8 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ., 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
Hoja de datos
1,405En existencias
15,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 N-Channel 1 Channel 650 V 2.3 A 1.6 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel