Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk