Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
76En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
85En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
118En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
78En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel