Amplificador de RF 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz
HMC591LP5E
Analog Devices
1:
S/493.18
29 Se espera el 29/07/2027
N.º de artículo de Mouser
584-HMC591LP5E
Analog Devices
Amplificador de RF 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz
29 Se espera el 29/07/2027
Embalaje alternativo
1
S/493.18
10
S/412.49
25
S/380.14
100
S/370.18
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Min.: 1
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Detalles
Amplificador de RF 1 dB NF Low Noise Amplifier, Operating from 50 MHz to 1 GHz with 18 dB Gain, 16 dBm P1dB and SMA
FMAM1050
Fairview Microwave
1:
S/2,367.85
2 Existencias en fábrica disponibles
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
67-FMAM1050
Nuevo en Mouser
Fairview Microwave
Amplificador de RF 1 dB NF Low Noise Amplifier, Operating from 50 MHz to 1 GHz with 18 dB Gain, 16 dBm P1dB and SMA
2 Existencias en fábrica disponibles
1
S/2,367.85
10
S/2,258.86
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Amplificadores de audio AUDIO AMP SPKR 1CH 0.85W CLASS-D 8PIN
BD5638NUX-TR
ROHM Semiconductor
4,000:
S/4.40
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
755-BD5638NUX-TR
ROHM Semiconductor
Amplificadores de audio AUDIO AMP SPKR 1CH 0.85W CLASS-D 8PIN
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 4,000
Mult.: 4,000
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4,000
Detalles
Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 700 - 3000 MHz, 50?
PMA4-33GLN+
Mini-Circuits
1:
S/44.49
Plazo de entrega 17 Semanas
N.º de artículo de Mouser
139-PMA4-33GLN+
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 700 - 3000 MHz, 50?
Plazo de entrega 17 Semanas
1
S/44.49
50
S/42.74
100
S/41.03
200
S/39.16
500
S/39.04
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L27025CG2
STMicroelectronics
300:
S/145.07
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27025CG2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Mult.: 300
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300
Detalles
Amplificador de RF DC-6GHz Low Phase Noise Amp
ADL8154ACPZN-R7
Analog Devices
3,000:
S/388.55
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
584-ADL8154ACPZN-R7
Nuevo producto
Analog Devices
Amplificador de RF DC-6GHz Low Phase Noise Amp
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Embalaje alternativo
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Mult.: 3,000
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3,000
Detalles
Amplificadores de audio Automotive 2-W mon o digital or analog
TAS2505TRGERQ1
Texas Instruments
1:
S/10.51
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
595-TAS2505TRGERQ1
Texas Instruments
Amplificadores de audio Automotive 2-W mon o digital or analog
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
S/10.51
10
S/7.79
25
S/7.12
100
S/6.38
3,000
S/5.45
6,000
Ver
250
S/6.03
500
S/5.84
1,000
S/5.57
6,000
S/5.29
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Min.: 1
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3,000
Detalles
Amplificadores de audio 115-W stereo 230-W m ono 12- to 31.5-V A A 595-TPA3245DDVR
+1 imagen
TPA3245DDV
Texas Instruments
175:
S/27.21
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
595-TPA3245DDV
Texas Instruments
Amplificadores de audio 115-W stereo 230-W m ono 12- to 31.5-V A A 595-TPA3245DDVR
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Mult.: 35
Detalles
Amplificador de RF 100 MHz to 12 GHz, Medium Power Broadband Amplifier with 600 mW, 18 dB Gain and SMA
SPA-120-18-003-SMA
Fairview Microwave
1:
S/8,539.60
No en existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
67-SPA-120-18-003SMA
Nuevo en Mouser
Fairview Microwave
Amplificador de RF 100 MHz to 12 GHz, Medium Power Broadband Amplifier with 600 mW, 18 dB Gain and SMA
No en existencias
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Mult.: 1
Amplificadores de audio OP Amp Dual GP +/-18V/36V
BD5466GUL-E2
ROHM Semiconductor
3,000:
S/2.68
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
755-BD5466GUL-E2
ROHM Semiconductor
Amplificadores de audio OP Amp Dual GP +/-18V/36V
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
3,000
S/2.68
6,000
S/2.65
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
QPD1016L
Qorvo
25:
S/3,937.26
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1016L
Qorvo
GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Min.: 25
Mult.: 25
Detalles
GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
TGF2023-2-01
Qorvo
50:
S/193.89
Plazo de entrega 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2023-2-01
Qorvo
GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Plazo de entrega 20 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Amplificador de RF 1.5-2.3GHz NF .67dB High Gain 18dB
TQP3M9040
Qorvo
2,500:
S/26.82
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
772-TQP3M9040
Qorvo
Amplificador de RF 1.5-2.3GHz NF .67dB High Gain 18dB
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Mult.: 2,500
Carrete :
2,500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
BLC9H10XS-606AY
Ampleon
100:
S/388.63
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-606AY
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Embalaje alternativo
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Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
BLC9H10XS-606AYZ
Ampleon
300:
S/395.40
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-606AYZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 300
Mult.: 300
Carrete :
300
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
BLC9H10XS-606AZ
Ampleon
60:
S/459.51
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-606AZ
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 60
Mult.: 60
Detalles
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
CGHV60040D-GP4
MACOM
50:
S/563.36
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV60040D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 10
Detalles
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
CGHV60170D-GP4
MACOM
Disponibilidad restringida
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV60170D
MACOM
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Detalles
GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
+1 imagen
GTVA107001EC-V1-R0
MACOM
50:
S/4,298.25
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
941-GTVA107001ECV1R0
MACOM
GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete :
50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
RF2L16080CF2
STMicroelectronics
160:
S/235.81
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16080CF2
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 160
Mult.: 160
Carrete :
160
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
RF3L05250CB4
STMicroelectronics
100:
S/764.84
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05250CB4
NRND
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
Carrete :
100
Detalles
Amplificador de RF RF SILICON MMIC
BGA 616 H6327
Infineon Technologies
3,000:
S/2.65
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BGA616H6327XT
NRND
Infineon Technologies
Amplificador de RF RF SILICON MMIC
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Amplificador de RF 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz
HMC591LP5
Analog Devices
1:
S/617.74
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
N.º de artículo de Mouser
584-HMC591LP5
Analog Devices
Amplificador de RF 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Embalaje alternativo
1
S/617.74
10
S/523.39
25
S/499.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
No
Amplificador de RF 37.5-42.5 GHz, 4W PA Die
Qorvo QPA4446D
QPA4446D
Qorvo
10:
S/731.21
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
N.º de artículo de Mouser
772-QPA4446D
Qorvo
Amplificador de RF 37.5-42.5 GHz, 4W PA Die
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles