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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Analog Devices Amplificador de RF 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz
29Se espera el 29/07/2027
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Fairview Microwave Amplificador de RF 1 dB NF Low Noise Amplifier, Operating from 50 MHz to 1 GHz with 18 dB Gain, 16 dBm P1dB and SMA 2Existencias en fábrica disponibles
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ROHM Semiconductor Amplificadores de audio AUDIO AMP SPKR 1CH 0.85W CLASS-D 8PIN Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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: 4,000

Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 700 - 3000 MHz, 50? Plazo de entrega 17 Semanas
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: 500

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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: 300

Analog Devices Amplificador de RF DC-6GHz Low Phase Noise Amp Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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: 3,000

Texas Instruments Amplificadores de audio Automotive 2-W mon o digital or analog Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 3,000


Texas Instruments Amplificadores de audio 115-W stereo 230-W m ono 12- to 31.5-V A A 595-TPA3245DDVR Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Fairview Microwave Amplificador de RF 100 MHz to 12 GHz, Medium Power Broadband Amplifier with 600 mW, 18 dB Gain and SMA No en existencias
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ROHM Semiconductor Amplificadores de audio OP Amp Dual GP +/-18V/36V Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
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Qorvo GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Plazo de entrega 20 Semanas
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Qorvo Amplificador de RF 1.5-2.3GHz NF .67dB High Gain 18dB Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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Analog Devices Amplificador de RF 2 Watt pow amp SMT, 6.0 - 9.5 GHz Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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No
Qorvo QPA4446D
Qorvo Amplificador de RF 37.5-42.5 GHz, 4W PA Die
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
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