MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C065080K4S
onsemi
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431-UF3C065080K4S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
581 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
STMicroelectronics
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511-STB28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,854 En existencias
1
S/10.86
10
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S/4.83
500
S/3.87
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S/3.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB30N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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S/18.57
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S/14.64
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Optoacopladores de alta velocidad 25MBd 6ns PWD
ACPL-772L-000E
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630-ACPL-772L-000E
Broadcom / Avago
Optoacopladores de alta velocidad 25MBd 6ns PWD
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S/21.14
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S/13.39
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Optoacopladores de salida lógica Gate Drv Optocoupler LF
ACPL-P347-000E
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Optoacopladores de salida lógica Gate Drv Optocoupler LF
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S/14.52
10
S/10.63
100
S/8.25
500
S/7.24
1,000
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S/6.73
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Optoacopladores de salida lógica OPTOCOUPLER GATE DRV, TR+LF
ACPL-W346-500E
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630-ACPL-W346-500E
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Optoacopladores de salida lógica OPTOCOUPLER GATE DRV, TR+LF
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S/14.05
100
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500
S/10.70
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S/10.20
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Optoacopladores de salida lógica Gate Drv Optocoupler LF
ACPL-W349-000E
Broadcom / Avago
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630-ACPL-W349-000E
Broadcom / Avago
Optoacopladores de salida lógica Gate Drv Optocoupler LF
3,618 En existencias
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S/12.61
500
S/11.17
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S/10.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
BSC084P03NS3 G
Infineon Technologies
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726-BSC084P03NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
9,010 En existencias
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S/7.71
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S/4.75
100
S/3.13
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S/2.46
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S/1.69
10,000
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S/2.10
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S/1.91
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S/1.63
25,000
S/1.60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
IXFP80N25X3
IXYS
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747-IXFP80N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
352 En existencias
1
S/47.02
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S/26.94
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S/24.91
500
S/24.60
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Controladores de puerta con aislamiento óptico Photocoupler, Photo IC Output
TLP352(D4-TP1,F)
Toshiba
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2,115 En existencias
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757-TLP352D4TP1F
Toshiba
Controladores de puerta con aislamiento óptico Photocoupler, Photo IC Output
2,115 En existencias
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S/6.15
10
S/4.48
25
S/4.09
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S/3.60
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S/3.38
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S/3.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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2,823 En existencias
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78-SQ4182EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
2,823 En existencias
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S/10.00
10
S/6.46
100
S/4.40
500
S/3.52
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S/3.24
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S/3.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30 V
+2 imágenes
SQ4410EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1:
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5,002 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4410EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30 V
5,002 En existencias
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S/8.60
10
S/5.53
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S/3.73
500
S/2.97
1,000
S/2.72
2,500
S/2.45
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V
+2 imágenes
SQ4949EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.07
2,164 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4949EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V
2,164 En existencias
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1
S/9.07
10
S/5.84
100
S/4.01
500
S/3.18
1,000
S/3.12
2,500
S/2.90
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ422EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.38
9,072 En existencias
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78-SQJ422EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
9,072 En existencias
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1
S/9.38
10
S/6.03
100
S/4.13
500
S/3.27
1,000
S/3.00
3,000
S/2.76
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.36
3,489 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
3,489 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
500
S/2.48
3,000
S/2.00
9,000
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1,000
S/2.27
9,000
S/1.98
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
+2 imágenes
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/3.19
32,421 En existencias
N.º de artículo de Mouser
781-SI2303CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
32,421 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.19
10
S/1.97
100
S/1.27
500
S/0.969
3,000
S/0.747
6,000
Ver
1,000
S/0.872
6,000
S/0.685
9,000
S/0.615
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3,000
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH DESAT
NCV57200DR2G
onsemi
1:
S/6.19
2,431 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NCV57200DR2G
onsemi
Controladores de puerta con aislamiento galvánico ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVER WITH DESAT
2,431 En existencias
1
S/6.19
10
S/4.55
25
S/4.01
100
S/3.66
2,500
S/2.98
5,000
Ver
250
S/3.44
500
S/3.30
1,000
S/3.01
5,000
S/2.92
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Carrete :
2,500
Detalles
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
UF3C120150B7S
onsemi
1:
S/47.80
374 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150B7S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
374 En existencias
1
S/47.80
10
S/33.16
800
S/33.16
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Máx.: 20
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1:
S/10.12
18,121 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
18,121 En existencias
1
S/10.12
10
S/6.54
100
S/4.48
500
S/3.56
2,500
S/3.22
5,000
Ver
1,000
S/3.27
5,000
S/3.09
25,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 3.0kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21220AD
UCC21220ADR
Texas Instruments
1:
S/11.95
985 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-UCC21220ADR
Texas Instruments
Controladores de puerta con aislamiento galvánico 3.0kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21220AD
985 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.95
10
S/8.95
25
S/8.21
100
S/7.40
2,500
S/6.19
5,000
Ver
250
S/7.01
500
S/6.85
1,000
S/6.54
5,000
S/6.07
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Optoacopladores de alta velocidad 1Ch 150mA 600mW
HCPL-0710-060E
Broadcom / Avago
1:
S/22.11
1,079 En existencias
N.º de artículo de Mouser
630-HCPL-0710-060E
Broadcom / Avago
Optoacopladores de alta velocidad 1Ch 150mA 600mW
1,079 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.11
10
S/16.23
100
S/12.85
500
S/11.37
1,000
Ver
1,000
S/10.55
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
IXFA80N25X3
IXYS
1:
S/45.00
580 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA80N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
580 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/45.00
10
S/27.56
100
S/25.50
500
S/25.30
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
RD3H045SPTL1
ROHM Semiconductor
1:
S/6.66
4,435 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-RD3H045SPTL1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
4,435 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.87
100
S/2.70
500
S/2.21
2,500
S/1.79
5,000
Ver
1,000
S/2.02
5,000
S/1.62
10,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 49.1A
SISS66DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.15
17,255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SISS66DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 49.1A
17,255 En existencias
1
S/9.15
10
S/5.88
100
S/4.01
500
S/3.18
3,000
S/2.85
6,000
Ver
1,000
S/2.92
6,000
S/2.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ4282EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/9.50
4,717 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4282EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
4,717 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.50
10
S/6.11
100
S/4.16
500
S/3.30
2,500
S/2.95
5,000
Ver
1,000
S/3.11
5,000
S/2.80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles