Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Controladores de puertas 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
IX4428NTR
IXYS Integrated Circuits
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IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 1 INVRT, 1 NON INVRT 8P SOIC Input CMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38,160 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
48,852 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
201,463 En existencias
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S/3.58
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S/0.79
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S/0.728
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Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SIATR
IXYS Integrated Circuits
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40,469 En existencias
N.º de artículo de Mouser 849-IXDN604SIATR
IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
40,469 En existencias
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1
S/8.45
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S/6.27
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB50R140CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,709 En existencias
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S/21.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
SQJA76EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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3,425 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJA76EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
3,425 En existencias
1
S/8.33
10
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3,000
S/2.35
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Controladores de puertas Hi Vtg Hi-Side & Lo- Side Gate Dvr A 595 A 595-LM25101ASDX-1NPB
LM25101ASD-1/NOPB
Texas Instruments
1:
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1,014 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-LM25101ASD-1NPB
Texas Instruments
Controladores de puertas Hi Vtg Hi-Side & Lo- Side Gate Dvr A 595 A 595-LM25101ASDX-1NPB
1,014 En existencias
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1
S/19.50
10
S/14.87
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S/13.70
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1,000
S/10.78
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S/11.79
2,000
S/10.43
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Controladores de puertas Sgl 7.6A Peak Currnt Lo-Side Gate Dvr A A 595-5114AMFXS7003103
LM5114AMF/S7003109
Texas Instruments
1:
S/7.28
2,879 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-M5114AMFS7003109
Texas Instruments
Controladores de puertas Sgl 7.6A Peak Currnt Lo-Side Gate Dvr A A 595-5114AMFXS7003103
2,879 En existencias
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1
S/7.28
10
S/6.03
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S/5.49
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S/4.90
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S/3.97
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S/4.63
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S/4.44
1,000
S/3.97
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Controladores de puertas Hi-Spd Ultrasound
MD1711FG-G
Microchip Technology
1:
S/47.25
187 En existencias
N.º de artículo de Mouser 689-MD1711FG-G
Microchip Technology
Controladores de puertas Hi-Spd Ultrasound
187 En existencias
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1
S/47.25
25
S/39.47
100
S/35.89
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S/35.85
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06N
Infineon Technologies
1:
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1,033 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,033 En existencias
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1
S/17.79
10
S/11.68
100
S/8.68
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S/7.32
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S/6.66
2,000
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2,000
S/6.34
5,000
S/6.31
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.24
1,560 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1,560 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.24
10
S/11.37
100
S/8.02
500
S/6.77
1,000
S/6.34
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Carrete :1,000
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Controladores de puertas Synchronous buck FET driver for high-fre A 595-TPS59603QDSGRQ1
TPS59603QDSGTQ1
Texas Instruments
1:
S/17.36
2,495 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-TPS59603QDSGTQ1
Texas Instruments
Controladores de puertas Synchronous buck FET driver for high-fre A 595-TPS59603QDSGRQ1
2,495 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.36
10
S/13.16
25
S/12.11
100
S/10.98
250
S/9.50
500
Ver
500
S/9.42
1,000
S/9.19
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
TK560P60Y,RQ
Toshiba
1:
S/8.37
1,900 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK560P60YRQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
1,900 En existencias
1
S/8.37
10
S/5.37
100
S/3.62
500
S/3.42
2,000
S/3.42
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
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Controladores de puerta con aislamiento óptico Photocoupler, Photo IC Output
TLP5754(D4-TP,E
Toshiba
1:
S/11.48
1,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP5754D4TPE
Toshiba
Controladores de puerta con aislamiento óptico Photocoupler, Photo IC Output
1,831 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/11.48
10
S/6.85
25
S/6.77
100
S/5.64
250
Ver
1,500
S/4.98
250
S/5.61
500
S/5.14
1,000
S/5.06
1,500
S/4.98
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.50
5,530 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS462EN-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
5,530 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.74
500
S/2.15
3,000
S/1.72
6,000
Ver
1,000
S/1.96
6,000
S/1.65
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
1:
S/7.71
9,147 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD50N06S4L08ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
9,147 En existencias
1
S/7.71
10
S/4.90
100
S/3.29
500
S/2.60
1,000
S/2.39
2,500
S/2.09
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puerta con aislamiento óptico Gate Drive Coupler; 125C oper temp; R2R; SO6L; RoHS; VDE
TLP5754H(D4TP4,E
Toshiba
1:
S/7.12
5,302 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP5754HD4TP4E
Toshiba
Controladores de puerta con aislamiento óptico Gate Drive Coupler; 125C oper temp; R2R; SO6L; RoHS; VDE
5,302 En existencias
1
S/7.12
10
S/5.25
25
S/4.75
100
S/4.24
1,500
S/3.57
3,000
Ver
250
S/3.97
500
S/3.82
1,000
S/3.80
3,000
S/3.56
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
NTMYS006N08LHTWG
onsemi
1:
S/13.78
1,087 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS006N08LHTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
1,087 En existencias
1
S/13.78
10
S/12.49
100
S/9.42
500
S/7.90
3,000
S/4.67
6,000
Ver
1,000
S/7.36
6,000
S/4.55
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
+2 imágenes
ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
1:
S/5.84
18,116 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
18,116 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.84
10
S/3.37
100
S/2.36
500
S/1.92
1,000
S/1.53
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMC86012
onsemi
1:
S/10.74
2,809 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDMC86012
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
2,809 En existencias
1
S/10.74
10
S/6.89
100
S/4.71
500
S/3.97
3,000
S/3.97
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Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 510
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
+1 imagen
STI28N60M2
STMicroelectronics
1:
S/15.73
1,828 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STI28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,828 En existencias
1
S/15.73
10
S/8.99
100
S/7.36
500
S/6.15
1,000
Ver
1,000
S/5.57
2,000
S/5.33
5,000
S/5.06
25,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
