Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
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726-IAUCN08S7N036TAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
IMBG75R011M2HXTMA1
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
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MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
AIMZA75R016M2HXKSA1
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MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
NCV81071AZR2G
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Controladores de puertas DUAL 5 A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE FOR AUTOMOTIVE (AECQ100 GRADE 1)
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MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
NTBG025N065SC1
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MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
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S/52.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
SIRA14DDP-T1-GE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
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Controladores de conmutación 560VIN Micropower, Isolated No-Opto Flyb
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LT8316EFE#PBF
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584-LT8316EFE#PBF
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Controladores de conmutación 560VIN Micropower, Isolated No-Opto Flyb
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Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
LTC1871EMS-7#PBF
Analog Devices
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2,477 En existencias
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584-LTC1871EMS-7#PBF
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Controladores de conmutación Hi In V, C Mode Boost, Fly & SEPIC Cntr
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
NTMYS006N08LHTWG
onsemi
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863-NTMYS006N08LHTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
SI3424CDV-T1-GE3
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78-SI3424CDV-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
349,704 En existencias
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S/0.732
6,000
S/0.568
9,000
S/0.498
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR826DP-T1-GE3
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78-SIR826DP-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
12,867 En existencias
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S/15.10
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S/6.93
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S/5.68
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S/5.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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78-SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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S/6.27
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S/2.93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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78-SQS460EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
69,359 En existencias
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S/4.87
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S/2.58
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S/2.36
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S/2.10
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Controladores de puertas Dual 1.5A Low Side Gate Driver
+3 imágenes
IX4427MTR
IXYS Integrated Circuits
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849-IX4427MTR
IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas Dual 1.5A Low Side Gate Driver
64,334 En existencias
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S/4.98
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S/2.71
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S/2.49
4,000
S/2.28
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Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
IXDN604SITR
IXYS Integrated Circuits
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849-IXDN604SITR
IXYS Integrated Circuits
Controladores de puertas 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
9,575 En existencias
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S/14.44
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S/10.90
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S/10.00
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1,000
S/8.06
4,000
S/7.40
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
+1 imagen
NVHL160N120SC1
onsemi
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2,422 En existencias
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863-NVHL160N120SC1
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
2,422 En existencias
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S/52.74
10
S/31.88
120
S/28.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
STL60N10F7
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
26,933 En existencias
1
S/7.79
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S/4.98
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S/2.64
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S/2.13
1,000
S/2.42
3,000
S/2.13
24,000
Presupuesto
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Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
IXFN132N50P3
IXYS
1:
S/196.92
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N.º de artículo de Mouser
747-IXFN132N50P3
IXYS
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
438 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
+2 imágenes
SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.16
71,308 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SQ9407EY-T1_BE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
71,308 En existencias
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S/7.16
10
S/4.55
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S/3.05
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S/2.41
1,000
S/2.18
2,500
S/1.93
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/7.67
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
50,755 En existencias
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S/7.67
10
S/4.75
100
S/3.12
500
S/2.45
3,000
S/1.90
6,000
Ver
1,000
S/2.09
6,000
S/1.69
9,000
S/1.63
24,000
S/1.60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser
781-SQD50N06-09L_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
32,084 En existencias
1
S/24.33
10
S/16.27
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S/11.72
500
S/10.78
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S/10.35
2,000
S/10.20
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2,000
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
NVH4L025N065SC1
onsemi
1:
S/105.02
428 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L025N065SC1
onsemi
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
428 En existencias
1
S/105.02
10
S/85.64
120
S/78.59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A
+2 imágenes
SI2343CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.70
142,841 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI2343CDS-T1-BE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 30V 4.2A
142,841 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.70
10
S/2.29
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S/1.14
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S/0.817
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Ver
1,000
S/0.969
6,000
S/0.763
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SIR826BDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.77
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N.º de artículo de Mouser
78-SIR826BDP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
24,934 En existencias
1
S/9.77
10
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S/4.40
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S/3.52
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S/3.24
3,000
S/3.06
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Carrete :
3,000
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