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WNSC5D066506Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D066506Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D066506Q
Price: 1.81 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-WNSC5D066506Q

Fabricante N.º:

WNSC5D066506Q

Fabricante:

WeEn Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Hoja de datos:

WNSC5D066506Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/1.81	S/5,430.00
	S/1.64	S/8,200.00
	S/1.62	S/16,200.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	WeEn Semiconductors
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2L
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	6 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	40 A
Ir - Corriente inversa:	30 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	WeEn Semiconductors
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	934072963127

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Hoja de datos

WNSC5D066506Q Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

WNS Silicon Carbide Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNS Silicon Carbide Schottky Diodes are designed for high-frequency switched-mode power supplies. These diodes feature highly stable switching performance, extremely fast reverse recovery time, superior efficiency to silicon diode alternatives, and reduced losses in associated MOSFET. The WNS Schottky diodes offer up to 1200V of repetitive peak reverse voltage and a -55°C to 175°C storage temperature range. Typical applications include power factor correction, telecom/server SMPS, UPS, PV inverter, PC Silverbox, LED/OLED tv, and motor drives.