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VS-SF50LA120

Name: Vishay VS-SF50LA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF50LA120
Price: 215.61 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-VS-SF50LA120

Fabricante N.º:

VS-SF50LA120

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET

Ciclo de vida:

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	S/179.91	S/1,799.10

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	43 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9.28 ns
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	29.44 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	160
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	27.52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.44 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs

Vishay Semiconductor VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs are high-performance silicon carbide (SiC) MOSFETs. The high blocking voltage, low on-resistance, high-speed switching, and low capacitance make these Vishay Semiconductor MOSFETs ideal for high-frequency switching applications, including solar inverters and EV chargers.