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VS-4C12ET07S2LHM3

Name: Vishay VS-4C12ET07S2LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C12ET07S2LHM3
Price: 20.4 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-VS-4C12ET07S2LHM3

Fabricante N.º:

VS-4C12ET07S2LHM3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

VS-4C12ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

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	S/13.31	S/133.10
	S/10.43	S/1,043.00
	S/8.72	S/4,360.00
	S/8.06	S/6,448.00
	S/7.55	S/18,120.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263AB-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	12 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.3 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	72 A
Ir - Corriente inversa:	84 uA
Temperatura de trabajo mínima:	-55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C12ET07S2LHM3
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	HK
Dp - Disipación de potencia :	91 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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VS-4C12ET07S2LHM3 Hoja de datos (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.