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VS-4C10EP12LHM3

Name: Vishay VS-4C10EP12LHM3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C10EP12LHM3
Price: 22.93 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

78-VS-4C10EP12LHM3

Fabricante N.º:

VS-4C10EP12LHM3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	S/22.93	S/22.93
	S/18.37	S/183.70
	S/15.14	S/1,514.00
	S/12.85	S/6,425.00
	S/11.29	S/11,290.00
25,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247AD-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.34 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	50 A
Ir - Corriente inversa:	162 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	VS-4C10EP12LHM3
Marca:	Vishay Semiconductors
Dp - Disipación de potencia :	187 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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VS-4C10EP12LHM3 Hoja de datos (PDF)

Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.