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UT6JC5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6JC5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6JC5TCR
Price: 4.13 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-UT6JC5TCR

Fabricante N.º:

UT6JC5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET

Hoja de datos:

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	S/4.13	S/4.13
	S/2.84	S/28.40
	S/1.96	S/196.00
	S/1.55	S/775.00
	S/1.38	S/1,380.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.20	S/3,600.00
	S/1.11	S/6,660.00
	S/1.02	S/9,180.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-2020-8D
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	6.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	42 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.4 ns
Alias de las piezas n.º:	UT6JC5

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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