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TSM2N7002AKCX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2N7002AKCX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2N7002AKCXRFG
Price: 0.89 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM2N7002AKCXRFG

Fabricante N.º:

TSM2N7002AKCX RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM2N7002AKCX RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/0.895	S/0.90
	S/0.611	S/6.11
	S/0.385	S/38.50
	S/0.241	S/120.50
	S/0.202	S/202.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.175	S/525.00
	S/0.148	S/888.00
	S/0.109	S/981.00
	S/0.101	S/2,424.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	300 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	357 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	5.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	7.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.5 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM2N7002AKCX

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TSM2N7002AKCX RFG Hoja de datos

Models

TSM2N7002AKCX RFG Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a lowdrain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.