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TSM2537CQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2537CQRFG
Price: 3.62 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM2537CQRFG

Fabricante N.º:

TSM2537CQ RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 13A, -20V, -9.5A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM2537CQ RFG Hoja de datos

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	S/3.62	S/3.62
	S/2.24	S/22.40
	S/1.46	S/146.00
	S/1.12	S/560.00
	S/1.01	S/1,010.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.872	S/2,616.00
	S/0.802	S/4,812.00
	S/0.705	S/6,345.00
	S/0.701	S/16,824.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDFN22-6
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.6 A, 9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17 mOhms, 48 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV, 450 mV
Qg - Carga de puerta:	9.1 nC, 9.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	6.25 W, 6.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	30 ns, 68 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S, 15 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	41 ns, 34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N- and P-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns, 69 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns, 10 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM2537CQ
Peso de la unidad:	94.742 mg

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Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

TSM N- & P-Channel MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM N- and P-Channel MOSFETs are RoHS compliant with low gate charges for fast power switching. These MOSFETs are halogen-free and 100% UIS- and R_gtested. The TSM N- and P-channel MOSFETs operate at -55°C to 150°C junction temperature range. These MOSFETs are ideally used in load switch power management, portable devices, DC-DC converters, and power routing.