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TSM076NH04DCR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TSM076NH04DCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM076NH04DCRRLG
Price: 8.95 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM076NH04DCRRLG

Fabricante N.º:

TSM076NH04DCR RLG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 34A, Dual N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM076NH04DCR RLG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.95	S/8.95
	S/5.76	S/57.60
	S/3.93	S/393.00
	S/3.13	S/1,565.00
	S/2.95	S/2,950.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/2.48	S/6,200.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN56U-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	19 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	55.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PerFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	42 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	49.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.9 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM076NH04DCR

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (V_DS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.