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TK190U65Z,RQ

Name: Toshiba TK190U65Z,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK190U65ZRQ
Price: 17.91 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK190U65ZRQ

Fabricante N.º:

TK190U65Z,RQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

Hoja de datos:

TK190U65Z,RQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/17.91	S/17.91
	S/9.15	S/91.50
	S/7.28	S/728.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/7.28	S/14,560.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	2-10AF1A-9
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	149 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	130 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	66 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	34 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

TK190U65Z,RQ Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL

Los MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL de Toshiba cuentan con un bajo nivel de resistencia de fuente de drenaje (Rdson) y propiedades de conmutación de alta velocidad con una capacitancia más baja. Esto los hace ideales para aplicaciones de suministro de potencia de conmutación. Esta última generación de DTMOSVI ofrece la cifra más baja de mérito RDS (ON) xQgd, y se incluye en el nuevo paquete TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) con una conexión de fuente Kelvin para reducir las pérdidas de encendido y apagado.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.