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TK190A65Z,S4X

Name: Toshiba TK190A65Z,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK190A65ZS4X
Price: 16.35 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK190A65ZS4X

Fabricante N.º:

TK190A65Z,S4X

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

Hoja de datos:

TK190A65Z,S4X Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/16.35	S/16.35
	S/8.41	S/84.10
	S/7.40	S/740.00
	S/6.23	S/3,115.00
	S/5.84	S/5,840.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	190 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Serie:	DTMOS VI
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	66 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	38 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.