TK055U60Z1,RQ

Toshiba
757-TK055U60Z1RQ
TK055U60Z1,RQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

Modelo ECAD:
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En existencias: 3,975

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2,000
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20
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/30.56 S/30.56
S/20.86 S/208.60
S/17.40 S/1,740.00
S/15.80 S/7,900.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
S/14.48 S/28,960.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
40 A
55 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
65 nC
270 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 25 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 132 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 59 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL

Los MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL de Toshiba cuentan con un bajo nivel de resistencia de fuente de drenaje (Rdson) y propiedades de conmutación de alta velocidad con una capacitancia más baja. Esto los hace ideales para aplicaciones de suministro de potencia de conmutación. Esta última generación de DTMOSVI ofrece la cifra más baja de mérito RDS (ON) xQgd, y se incluye en el nuevo paquete TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) con una conexión de fuente Kelvin para reducir las pérdidas de encendido y apagado.