STP60N043DM9

STMicroelectronics
511-STP60N043DM9
STP60N043DM9

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
56 A
43 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78.6 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: MDmesh DM9
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The device implements innovative super-junction MDmesh DM9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

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