STGYA50M120DF3

STMicroelectronics
511-STGYA50M120DF3
STGYA50M120DF3

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
Max247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
100 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 4.430 g
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

En existencias: 1,086

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/34.95 S/34.95
S/19.03 S/190.30
S/16.47 S/1,976.40

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