STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 60 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

En existencias: 7,929

Existencias:
7,929 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/12.30 S/12.30
S/6.70 S/67.00
S/5.45 S/545.00
S/4.44 S/2,220.00
S/4.09 S/4,090.00
S/3.97 S/7,940.00
S/3.83 S/38,300.00

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