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STGF30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGF30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGF30M65DF2
Price: 12.22 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGF30M65DF2

Fabricante N.º:

STGF30M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

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Hoja de datos:

STGF30M65DF2 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/12.22	S/12.22
	S/6.07	S/60.70
	S/5.49	S/549.00
	S/4.44	S/2,220.00
	S/4.28	S/4,280.00
	S/4.01	S/8,020.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	38 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGF30M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	60 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.