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SSM3K35AMFV,L3F

Name: Toshiba SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K35AMFVL3F
Price: 0.74 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM3K35AMFVL3F

Fabricante N.º:

SSM3K35AMFV,L3F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V

Hoja de datos:

SSM3K35AMFV,L3F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/0.74	S/0.74
	S/0.42	S/4.20
	S/0.175	S/17.50
	S/0.136	S/136.00
	S/0.125	S/625.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 8000)
	S/0.097	S/776.00
	S/0.093	S/2,232.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VESM-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	250 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	340 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIII
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Serie:	SSM3K35AM
Cantidad de empaque de fábrica:	8000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2 ns
Peso de la unidad:	24 mg

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Hoja de datos

SSM3K35AMFV,L3F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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