SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/17.28 S/17.28
S/11.83 S/118.30
S/8.41 S/841.00
S/7.79 S/3,895.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
S/6.34 S/12,680.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Triple
Tiempo de caída: 2 ns, 10 ns, 19 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 16 S, 19 S, 65 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns, 9 ns, 12 ns
Serie: SQUN
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 15 ns, 22 ns, 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns, 8 ns, 10 ns
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design. 

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