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SISS54DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS54DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS54DN-T1-GE3
Price: 8.84 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SISS54DN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SISS54DN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

Hoja de datos:

SISS54DN-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.84	S/8.84
	S/5.72	S/57.20
	S/3.93	S/393.00
	S/3.12	S/1,560.00
	S/3.02	S/3,020.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.60	S/7,800.00
	S/2.57	S/15,420.00
	S/2.52	S/22,680.00
24,000	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8S
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	185.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.06 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	47.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	65.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	117 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	SISS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Gen V Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.