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SIJH5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJH5100E-T1-GE3
Price: 24.09 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIJH5100E-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIJH5100E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIJH5100E-T1-GE3 Hoja de datos

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	S/24.09	S/24.09
	S/16.43	S/164.30
	S/11.87	S/1,187.00
	S/11.83	S/5,915.00
	S/11.48	S/11,480.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	S/10.82	S/21,640.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	277 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.89 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	85 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	333 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSS52DN & SiSS54DN N-Ch TrenchFET® Gen V MOSFETs

Vishay / Siliconix SiSS52DN and SiSS54DN N-Channel TrenchFET Gen V Power MOSFETs enable higher power density with very low R_DS(on). These power MOSFETs offer 30V V_DS and very low R_DS x Q_g Figure-of-Merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiSS52DN N-Channel MOSFET typically features 162A I_D and 19.9nC Q_g. Meanwhile, the SiSS54DN N-Channel MOSFET typically features 185.6A I_D and 21nC Q_g. This 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested MOSFET comes in a thermally enhanced compact PowerPAK® 1212-8S package with a single configuration. Typical applications include DC/DC converters, Point-of-Loads (POLs), synchronous rectification, power and load switches, and battery management.