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SI7633DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7633DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7633DP-GE3
Price: 9.54 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI7633DP-GE3

Fabricante N.º:

SI7633DP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Hoja de datos:

SI7633DP-T1-GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/9.54	S/9.54
	S/6.07	S/60.70
	S/4.13	S/413.00
	S/3.46	S/1,730.00
	S/3.05	S/3,050.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.83	S/8,490.00
	S/2.73	S/16,380.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	260 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	104 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	100 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7633DP-GE3
Peso de la unidad:	506.600 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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