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SI7309DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7309DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7309DN-T1-GE3
Price: 6.77 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI7309DN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI7309DN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Hoja de datos:

SI7309DN-T1-GE3 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/6.77	S/6.77
	S/4.28	S/42.80
	S/2.80	S/280.00
	S/2.22	S/1,110.00
	S/2.12	S/2,120.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.80	S/5,400.00
	S/1.73	S/10,380.00
	S/1.67	S/15,030.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	146 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	14.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	19.8 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7309DN-GE3
Peso de la unidad:	1 g

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Hoja de datos

SI7309DN-T1-GE3 Hoja de datos

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.