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SH8KA4TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KA4TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KA4TB1
Price: 5.18 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SH8KA4TB1

Fabricante N.º:

SH8KA4TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8KA4TB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/5.18	S/5.18
	S/3.19	S/31.90
	S/2.11	S/211.00
	S/1.90	S/950.00
	S/1.78	S/1,780.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/1.73	S/4,325.00
	S/1.56	S/7,800.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	21.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	15.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	SH8KA4

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs feature two 40V or 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. The SH8K series offers low on-resistance and maximum R_DS(on) of 8.4mΩ, 12.4mΩ, or 19.4mΩ. Other features are 2W power dissipation and ±8.5A, ±10.5, or ±13.5A drain current ID. These RoHS-compliant MOSFETs are halogen free and use Pb-free plating. ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs are ideally suited for switching applications.