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SH8JC5TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8JC5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8JC5TB1
Price: 11.95 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SH8JC5TB1

Fabricante N.º:

SH8JC5TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8JC5TB1 Hoja de datos

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	S/11.95	S/11.95
	S/7.75	S/77.50
	S/5.37	S/537.00
	S/4.52	S/2,260.00
	S/4.13	S/4,130.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/3.67	S/9,175.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	74 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	130 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	SH8JC5
Peso de la unidad:	83 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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