SCT4026DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DW7TL
SCT4026DW7TL

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO263 750V 51A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 2,008

Existencias:
2,008 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 2008 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/66.02 S/66.02
S/52.86 S/528.60
S/43.32 S/4,332.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
S/40.60 S/40,600.00
2,000 Presupuesto
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
51 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 16 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 22 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 45 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9.5 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4026DW7
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SCT4026DW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4026DW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 750V, 26mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4026DW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4026DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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