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SBC846BPDW1T2G

Name: onsemi SBC846BPDW1T2G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T2G
Price: 1.05 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-SBC846BPDW1T2G

Fabricante N.º:

SBC846BPDW1T2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS SC88 DUAL GEN XSTR

Hoja de datos:

SBC846BPDW1T2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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S/-.--

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S/-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.05	S/1.05
	S/0.65	S/6.50
	S/0.409	S/40.90
	S/0.30	S/150.00
	S/0.265	S/265.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.156	S/468.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

SBC846BPDW1T1G

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/1.36

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Polaridad del transistor:	NPN, PNP
Configuración:	Dual
Corriente CC máxima de colector:	100 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	65 V
Tensión VCBO colector-base:	80 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	600 mV, 650 mV
Dp - Disipación de potencia :	380 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	100 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Calificación:	AEC-Q100
Serie:	BC846BPDW1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	200
Máx. ganancia de CC hFE:	475
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	7.500 mg

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Hoja de datos

SBC846BPDW1T2G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolar Transistors

onsemi BC846BPDW1 Bipolar Transistors are dual general-purpose transistors designed for low-power surface mount applications. These NPN/PNP transistors are housed in the SOT-363/SC-88 package. The BC846BPDW1 bipolar transistors are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and available in a PB-free package. These NPN/PNP transistors are halogen-free/BFR-free and are RoHS-compliant. The bipolar transistors are ideal for low-power surface mount applications.