RS3G160ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RS3G160ATTB1
RS3G160ATTB1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
16 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
120 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 210 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 65 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P - Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 260 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 24 ns
Alias de las piezas n.º: RS3G160AT
Peso de la unidad: 83 mg
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 5,449

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/13.62 S/13.62
S/8.02 S/80.20
S/6.15 S/615.00
S/5.18 S/2,590.00
S/5.02 S/5,020.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/4.52 S/11,300.00

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