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RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 6.11 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ3G120BJFRATCB

Fabricante N.º:

RQ3G120BJFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6.11	S/6.11
	S/3.87	S/38.70
	S/2.58	S/258.00
	S/2.11	S/1,055.00
	S/2.08	S/2,080.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.76	S/5,280.00
	S/1.75	S/10,500.00
	S/1.69	S/15,210.00
	S/1.67	S/40,080.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	48 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	15.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.7 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia RQ3xFRATCB

Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB de ROHM SemiconModule son MOSFET de grado automotriz con calificación AEC-Q101. Estos MOSFET cuentan con un rango de voltaje de drenaje a fuente de -40 V a 100 V, 8 terminales, disipación de potencia de hasta 69 W y corriente de drenaje continua de ±12 A a ±27 A. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB están disponibles en canal N y canal P. Estos MOSFET de potencia se incluyen en un paquete compacto HSMT8AG de 3.3 mm x 3.3 mm. Los MOSFET de potencia RQ3xFRATCB son ideales para sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS), infoentretenimiento, iluminación y cuerpo.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.