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RBR40NS30ATL

Name: ROHM Semiconductor RBR40NS30ATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RBR40NS30ATL
Price: 14.01 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RBR40NS30ATL

Fabricante N.º:

RBR40NS30ATL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK)

Hoja de datos:

RBR40NS30ATL Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/14.01	S/14.01
	S/8.87	S/88.70
	S/6.23	S/623.00
	S/5.64	S/2,820.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/4.83	S/4,830.00
	S/4.55	S/9,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
Producto:	Schottky Diodes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
Tecnología:	Si
If - Corriente directa:	40 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	30 V
Vf - Tensión directa:	520 mV
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	100 A
Ir - Corriente inversa:	600 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	30 V
Alias de las piezas n.º:	RBR40NS30A

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RBR40NS Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBR40NS Schottky Barrier Diodes are designed for use in switching power supplies and feature 100A peak forward surge current. These diodes offer high reliability, low forward voltage, and 40A average rectified forward current. The RBR40NS Schottky barrier diodes are available in three variants with 30V, 40V, and 60V repetitive peak reverse voltages. These diodes are designed using silicon epitaxial planar type construction and come in a TO-263AB (D2PAK) package. The RBR40NS Schottky barrier diodes are RoHS compliant and operate within the -55°C to 150°C temperature range.

RBRxx30ATL Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type low V_F diodes with 30V reverse direct voltage (V_R). These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in either TO-263S (D²PAK) or TO-252 (DPAK) packages. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low V_F, high reliability, and operate at -55°C to +150°C temperature range. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.