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R8019KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNZ4C13
Price: 39 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-R8019KNZ4C13

Fabricante N.º:

R8019KNZ4C13

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V N CH 19A

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	S/39.00	S/39.00
	S/27.25	S/272.50
	S/20.90	S/2,090.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247G-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	19 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	265 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	65 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	208 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	60 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	50 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.