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QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 6.42 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-QH8JB5TCR

Fabricante N.º:

QH8JB5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6.42	S/6.42
	S/3.89	S/38.90
	S/2.95	S/295.00
	S/2.37	S/1,185.00
	S/2.17	S/2,170.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/1.91	S/5,730.00
	S/1.78	S/10,680.00
	S/1.77	S/15,930.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	17.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	43 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 - P Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.2 ns
Alias de las piezas n.º:	QH8JB5
Peso de la unidad:	10 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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