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PSMN2R5-30YL,115

Name: Nexperia PSMN2R5-30YL,115
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R5-30YL-T/R
Price: 6.27 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN2R5-30YL-T/R

Fabricante N.º:

PSMN2R5-30YL,115

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

PSMN2R5-30YL,115 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/6.27	S/6.27
	S/3.97	S/39.70
	S/3.89	S/194.50
	S/2.64	S/264.00
	S/2.08	S/1,040.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.92	S/2,880.00
	S/1.86	S/5,580.00
	S/1.81	S/8,145.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-669-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.15 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934063071115
Peso de la unidad:	91.420 mg

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Hoja de datos

PSMN2R5-30YL,115 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.

PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.