PJQ5590-AU_R2_002A1 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 59 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit PJQ5590-AU-R2-002A1
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
N/A