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PBZTBR113B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR113B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR113B
Price: 3.31 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-PBZTBR113B

Fabricante N.º:

PBZTBR113B

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Zener 1000mW, 10V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/3.31	S/3.31
	S/2.02	S/20.20
	S/1.34	S/134.00
	S/1.05	S/525.00
	S/0.895	S/895.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.708	S/2,124.00
	S/0.673	S/4,038.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Zener
RoHS:
Vz - Tensión del zener:	13 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DO-214AA-2
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Ir - Corriente máxima de pérdida inversa:	10 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Corriente de prueba:	20 mA
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Altura:	3.94 mm
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Longitud:	4.7 mm
Tipo de producto:	Zener Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Ancho:	2.45 mm
Corriente Zener:	10 uA

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Diodos Zener PBZTBR1x

Los diodos Zener PBZTBR1x de ROHM Semiconductor cuentan con alta fiabilidad y un pequeño tipo de molde de potencia con una estructura planar epitaxial de silicio. Estos diodos Zener ofrecen disipación de potencia de 1000 mW y temperatura de unión de 150°C. Los diodos Zener PBZTBR1x se almacenan en un rango de temperatura de -55°C a 150°C. Estos diodos Zener están disponibles en el paquete DO-214AA (SMB). Los diodos Zener PBZTBR1x se utilizan en la regulación de voltaje.