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NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 677.92 PEN
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-H007F120M3F2PTHG

Fabricante N.º:

NXH007F120M3F2PTHG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

NXH007F120M3F2PTHG Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	PIM-34
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	149 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.72 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	353 W
Serie:	NXH007F120M3F2PTHG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Full Bridge
Tiempo de caída:	13.2 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Full Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico:	121.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37.2 ns
Vf - Tensión directa:	5.03 V

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NXH007F120M3F2PTHG Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Los MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 de Onsemi son módulos de potencia que incluyen un puente completo y un termistor en un paquete F1. Estos MOSFET cuentan con termistores y pines a presión. Los módulos NXH0x0F120MNF1 ofrecen material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y sin opciones TIM preaplicadas. Estos módulos se utilizan preferentemente en inversores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida, estaciones de carga de vehículos eléctricos y energía industrial. Los módulos NXH0x0F120MNF1 son libres de plomo y haluro, y cumplen con las normas RoHS. Estos módulos incluyen entre -40°C y 150°C en el rango de temperatura de almacenamiento y un rango de temperatura en funcionamiento de unión de -40°C a 175°C.